5 月 10 日消息，总部位于美国的 3D NAND 闪存厂商 Neo Semiconductor 近日推出了 3D X-DRAM 存储芯片，声称是全球首个采用类似于3D NAND 的 DRAM，其容量明显超过当前的 2D DRAM 解决方案。
3D X-DRAM 存储的首个版本实现了128 Gb，每个芯片230 层，密度比目前的 2D DRAM 芯片高8 倍。
Neo Semiconductor 认为，与其他 3D DRAM 替代方案相比，该解决方案可以更轻松地扩展，并且实施成本更低，使其成为在不久的将来取代 2D DRAM 的可靠候选者。
3D X-DRAM 技术的核心在于创新使用了浮动体单元 (FBC)，利用当今成熟的 3D NAND 工艺，只需要一个掩模(mask)即可定义位线孔并在孔内形成单元结构。这种方法可以大大简化 2D DRAM 的生产、实施和过渡。
根据 Neo Semiconductor 的估计，到 2025 年，存储容量可能会翻一番，达到 256 Gb，而十年内可以提供 1 Tb 容量。更多信息将在 2023 年 8 月 9 日的闪存峰会上发布。
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3DX-DRAM技术的核心在于创新使用了浮动体单元(FBC)，利用当今成熟的3DNAND工艺，只需要一个掩模(mask)即可
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